3月25日，记者从西安交通大学得悉：该校电信学部副教授李强团队研发出氮化硼深紫外光电芯片，经教育部科技查新工作站查新，为全球首款。该芯片的成功研发，对深紫外固态光源应用于灭菌消毒、紫外固化、紫外光通信等范畴有重要意义。这一研讨成果已在世界威望期刊《先进科学》上宣布。

  氮化硼是一种超宽禁带半导体资料。根据氮化硼资料的深紫外发光器材，因为资料掺杂困难，难以构成有用发光复合结构。这一直是全球严重的科学和技能难题。在此之前，全球还未有直接外延成长氮化硼的同质结深紫外发光芯片。

  通过3年多的科研攻关，李强团队在1400摄氏度的超高温环境下，破解了资料掺杂难题。科研人员以物理加化学的方法在薄膜内掺杂其他元素，构成有用的带电载流子，制备出彻底具有自主知识产权的同质结深紫外发光芯片。其核心技能已请求国家发明专利。

  该款光电芯片还完成了发射波长在300纳米以下的深紫外光。太阳光中波长小于300纳米的光在穿过地球大气层时，会遭到大气臭氧层的吸收，简直没办法抵达地球表面。曩昔的研讨中，国内外科研人员都是根据氮化镓和氮化铝资料系统完成深紫外的发光芯片。

  李强表明：“咱们研发的氮化硼深紫外光电芯片，已验证可发射261纳米至300纳米波长的紫外光。这是全球初次使用掺杂后的氮化硼作为深紫外发光器材的主体资料，为深紫外光电器材供给了一种全新的资料系统，也为后续半导体型更短波段深紫外发光器材的研发供给了新的方向。”