韩国国立蔚山科学技术院Shin, Hyeon Suk团队报导了Ni(111)外表外延成长单晶六方氮化硼多层膜。相关研讨成果宣布在2022年6月1日出书的《天然》。
人们现已成长了大面积的二维(2D)资料单晶单分子膜,如石墨烯、六方氮化硼(hBN)和过渡金属二元化合物。hBN被认为是依据2D资料的场效应晶体管(FET)的“抱负”电介质,有或许扩展摩尔定律。尽管厚度大于单层的hBN更适合用作2D半导体的基底,但仍需证明高度均匀的单晶多层hBN成长。
该文报导了用化学气相堆积(CVD)办法外延成长晶圆级单晶三层hBN。发现均匀摆放的hBN岛在前期成长在单晶Ni(111)上,终究兼并成单晶膜。横截面透射电镜(TEM)依据成果得出,经过硼在镍中的溶解,在单晶hBN膜和镍基体之间(冷却过程中)形成了Ni23B6中间层。hBN和Ni23B6以及Ni23B6和Ni之间有外延联系。
研讨还发现,hBN膜作为保护层,在氢的催化演化过程中坚持完好,标明接连的单晶hBN。这种转移到SiO2(300nm)/Si晶片上的hBN起到了电介质层的效果,以削减MoS2 FET中SiO2衬底的电子掺杂。依据成果得出,大面积的高质量单晶多层hBN,这将为使其成为2D半导体都会存在的基底拓荒新的途径。
Nature:《天然》,创刊于1869年。隶属于施普林格天然出书集团,最新IF:42.778